EM
Z OI wiki
(Rozdíly mezi verzemi)
Řádka 1: | Řádka 1: | ||
- | |||
- | |||
<table><tr><td valign=top>__TOC__</td><td width=20></td><td valign=top>{{Šablona:Předměty}}</td></tr></table> | <table><tr><td valign=top>__TOC__</td><td width=20></td><td valign=top>{{Šablona:Předměty}}</td></tr></table> | ||
Řádka 6: | Řádka 4: | ||
* [https://moodle.kme.fel.cvut.cz/moodle/login/index.php Stránky předmětu - Moodle] | * [https://moodle.kme.fel.cvut.cz/moodle/login/index.php Stránky předmětu - Moodle] | ||
- | |||
- | |||
== Studijní materiály == | == Studijní materiály == |
Aktuální verze z 20. 12. 2012, 16:33
|
|
Info o předmětu
Studijní materiály
Zkoušky
Otázky ke zkoušce 2012
Zkouška 18.12.2012
1.) Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů?
2.) Kde leží Fermiho hladina v polovodiči typu P? Nakreslete v pásové struktuře.
3.) Polovodič typu P.
4.) Nakreslete jedno pulsní usměrňovač, vysvětlete princip činnosti.
5.) Nakreslete zesilovač v zapojení se společným emitorem.
6.) Nakreslete řez tranzistorem PMOS. Vysvětlete, jak vzniká inverzní vrstva.
7) Nakreslete schéma zapojení dvou-vstupého hradla NAND v CMOS technologii.
8.) LEDioda. Schéma + princip činnosti.
//doporučuju si projit všechny otázky, co jsou v předloze (jiné otázky nedává)...