EM
Z OI wiki
(Rozdíly mezi verzemi)
(Nejsou zobrazeny 2 mezilehlé verze.) | |||
Řádka 1: | Řádka 1: | ||
- | |||
- | |||
<table><tr><td valign=top>__TOC__</td><td width=20></td><td valign=top>{{Šablona:Předměty}}</td></tr></table> | <table><tr><td valign=top>__TOC__</td><td width=20></td><td valign=top>{{Šablona:Předměty}}</td></tr></table> | ||
Řádka 6: | Řádka 4: | ||
* [https://moodle.kme.fel.cvut.cz/moodle/login/index.php Stránky předmětu - Moodle] | * [https://moodle.kme.fel.cvut.cz/moodle/login/index.php Stránky předmětu - Moodle] | ||
- | |||
- | |||
== Studijní materiály == | == Studijní materiály == | ||
Řádka 14: | Řádka 10: | ||
== Zkoušky == | == Zkoušky == | ||
- | 18.12.2012 | + | === Otázky ke zkoušce 2012 === |
+ | |||
+ | *[http://moodle.kme.fel.cvut.cz/moodle/file.php/254/EM-_ramcove_otazky.pdf Otázky] | ||
+ | |||
+ | === Zkouška 18.12.2012 === | ||
+ | |||
+ | 1.) Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů? | ||
+ | |||
+ | 2.) Kde leží Fermiho hladina v polovodiči typu P? Nakreslete v pásové struktuře. | ||
+ | |||
+ | 3.) Polovodič typu P. | ||
+ | |||
+ | 4.) Nakreslete jedno pulsní usměrňovač, vysvětlete princip činnosti. | ||
+ | |||
+ | 5.) Nakreslete zesilovač v zapojení se společným emitorem. | ||
+ | |||
+ | 6.) Nakreslete řez tranzistorem PMOS. Vysvětlete, jak vzniká inverzní vrstva. | ||
+ | |||
+ | 7) Nakreslete schéma zapojení dvou-vstupého hradla NAND v CMOS technologii. | ||
+ | |||
+ | 8.) LEDioda. Schéma + princip činnosti. | ||
+ | |||
+ | //doporučuju si projit všechny otázky, co jsou v předloze (jiné otázky nedává)... |
Aktuální verze z 20. 12. 2012, 16:33
|
|
Info o předmětu
Studijní materiály
Zkoušky
Otázky ke zkoušce 2012
Zkouška 18.12.2012
1.) Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů?
2.) Kde leží Fermiho hladina v polovodiči typu P? Nakreslete v pásové struktuře.
3.) Polovodič typu P.
4.) Nakreslete jedno pulsní usměrňovač, vysvětlete princip činnosti.
5.) Nakreslete zesilovač v zapojení se společným emitorem.
6.) Nakreslete řez tranzistorem PMOS. Vysvětlete, jak vzniká inverzní vrstva.
7) Nakreslete schéma zapojení dvou-vstupého hradla NAND v CMOS technologii.
8.) LEDioda. Schéma + princip činnosti.
//doporučuju si projit všechny otázky, co jsou v předloze (jiné otázky nedává)...