EM
Z OI wiki
(Rozdíly mezi verzemi)
Řádka 13: | Řádka 13: | ||
== Zkoušky == | == Zkoušky == | ||
+ | |||
+ | === Otázky ke zkoušce 2012 === | ||
+ | |||
+ | *[http://moodle.kme.fel.cvut.cz/moodle/file.php/254/EM-_ramcove_otazky.pdf Otázky] | ||
=== Zkouška 18.12.2012 === | === Zkouška 18.12.2012 === | ||
1.) Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů? | 1.) Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů? | ||
+ | |||
2.) Kde leží Fermiho hladina v polovodiči typu P? Nakreslete v pásové struktuře. | 2.) Kde leží Fermiho hladina v polovodiči typu P? Nakreslete v pásové struktuře. | ||
+ | |||
3.) Polovodič typu P. | 3.) Polovodič typu P. | ||
+ | |||
4.) Nakreslete jedno pulsní usměrňovač, vysvětlete princip činnosti. | 4.) Nakreslete jedno pulsní usměrňovač, vysvětlete princip činnosti. | ||
+ | |||
5.) Nakreslete zesilovač v zapojení se společným emitorem. | 5.) Nakreslete zesilovač v zapojení se společným emitorem. | ||
+ | |||
6.) Nakreslete řez tranzistorem PMOS. Vysvětlete, jak vzniká inverzní vrstva. | 6.) Nakreslete řez tranzistorem PMOS. Vysvětlete, jak vzniká inverzní vrstva. | ||
+ | |||
7) Nakreslete schéma zapojení dvou-vstupého hradla NAND v CMOS technologii. | 7) Nakreslete schéma zapojení dvou-vstupého hradla NAND v CMOS technologii. | ||
+ | |||
8.) LEDioda. Schéma + princip činnosti. | 8.) LEDioda. Schéma + princip činnosti. | ||
//doporučuju si projit všechny otázky, co jsou v předloze (jiné otázky nedává)... | //doporučuju si projit všechny otázky, co jsou v předloze (jiné otázky nedává)... |
Verze z 19. 12. 2012, 23:21
|
|
Info o předmětu
Studijní materiály
Zkoušky
Otázky ke zkoušce 2012
Zkouška 18.12.2012
1.) Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů?
2.) Kde leží Fermiho hladina v polovodiči typu P? Nakreslete v pásové struktuře.
3.) Polovodič typu P.
4.) Nakreslete jedno pulsní usměrňovač, vysvětlete princip činnosti.
5.) Nakreslete zesilovač v zapojení se společným emitorem.
6.) Nakreslete řez tranzistorem PMOS. Vysvětlete, jak vzniká inverzní vrstva.
7) Nakreslete schéma zapojení dvou-vstupého hradla NAND v CMOS technologii.
8.) LEDioda. Schéma + princip činnosti.
//doporučuju si projit všechny otázky, co jsou v předloze (jiné otázky nedává)...