EM
Z OI wiki
(Rozdíly mezi verzemi)
Řádka 14: | Řádka 14: | ||
== Zkoušky == | == Zkoušky == | ||
- | 18.12.2012 | + | === Zkouška 18.12.2012 === |
+ | |||
+ | 1.) Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů? | ||
+ | 2.) Kde leží Fermiho hladina v polovodiči typu P? Nakreslete v pásové struktuře. | ||
+ | 3.) Polovodič typu P. | ||
+ | 4.) Nakreslete jedno pulsní usměrňovač, vysvětlete princip činnosti. | ||
+ | 5.) Nakreslete zesilovač v zapojení se společným emitorem. | ||
+ | 6.) Nakreslete řez tranzistorem PMOS. Vysvětlete, jak vzniká inverzní vrstva. | ||
+ | 7) Nakreslete schéma zapojení dvou-vstupého hradla NAND v CMOS technologii. | ||
+ | 8.) LEDioda. Schéma + princip činnosti. | ||
+ | |||
+ | //doporučuju si projit všechny otázky, co jsou v předloze (jiné otázky nedává)... |
Verze z 19. 12. 2012, 23:17
|
|
Info o předmětu
Studijní materiály
Zkoušky
Zkouška 18.12.2012
1.) Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů? 2.) Kde leží Fermiho hladina v polovodiči typu P? Nakreslete v pásové struktuře. 3.) Polovodič typu P. 4.) Nakreslete jedno pulsní usměrňovač, vysvětlete princip činnosti. 5.) Nakreslete zesilovač v zapojení se společným emitorem. 6.) Nakreslete řez tranzistorem PMOS. Vysvětlete, jak vzniká inverzní vrstva. 7) Nakreslete schéma zapojení dvou-vstupého hradla NAND v CMOS technologii. 8.) LEDioda. Schéma + princip činnosti.
//doporučuju si projit všechny otázky, co jsou v předloze (jiné otázky nedává)...